OE photonicsの1xN MEMS光スイッチモジュールは、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技術に基づき、1つの入力光とN個の出力光のポート選択を可能にするMEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ素子を小型モジュール化し、組み込み用に供します。種々のインターフェースで制御可能で、OADM、OXC、OPMなどの光ネットワークシステムで広く使用可能です。
■特徴・コンパクトなサイズ ■用途・光アド/ドロップマルチプレクサ（OADM） ■関連製品・MEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ素子 |
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■仕様
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パラメータ |
単位 |
シングルモード |
マルチモード |
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ポート数 N |
CH |
2 |
4 |
8 |
12 |
16 |
24 |
32 |
48 |
64 |
2 |
4 |
8 |
12 |
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動作波長 |
nm |
1310 ± 30 |
850 ± 30 or 1310 ± 30 |
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挿入損失 (Max) |
dB |
0.6 |
0.7 |
0.8 |
1.0 |
1.0 |
1.2 |
1.4 |
1.5 |
1.6 |
0.6 |
0.7 |
0.8 |
1.0 |
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dB |
≥ 50 |
≥ 30 |
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再現性（repeatability） |
dB |
≤ 0.03 |
≤ 0.05 |
≤ 0.03 |
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dB |
≥ 50 |
≥ 45 |
≥ 30 |
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dB |
≤ 0.15 |
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波長依存損失 |
dB |
≤ 0.3 @ 中心波長 ± 30 nm, 23 ℃ |
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温度依存損失 |
dB |
≤ 0.3 |
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動作温度 |
℃ |
-5 ~ 70 |
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保管温度 |
℃ |
-40 ~ 85 |
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スイッチング時間 |
ms |
≤ 5 |
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耐久性（durability） |
Cycle |
≥ 1×109 |
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動作電圧 |
V |
5 ~ 12 V |
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最大使用光パワー |
mW |
≤ 500 |
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制御インターフェース |
TTL or TTL/RS232 or TTL/I2C |
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注記:
- 損失は中心波長 ± 20nm, 23 ℃における評価結果です。多波長の場合はこれに0.2dB加算されます
- 再現性は100サイクル動作後の評価結果です。
- 損失はコネクタ損を除きます。コネクタを含む場合はこれに0.2dB加算されます
■パッケージ
■スイッチモジュール図面
| ファイバジャケット | 250 mmf ファイバ素線 | 900 mmf ルースチューブ |
| 1×2/1×4/1×8 スイッチ |   |
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| 1xN (8<N≦64) スイッチ |   |
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■注文方法
OE-Module-1×N-A-B-C-D-E-F
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N |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
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出力ポート数 |
テスト波長 |
ファイバ種類 |
ジャケット |
ファイバ長 |
制御インターフェース |
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2 4 8 12 16 24 32 48 64 |
850:850nm 1310:1310nm 1550:1550nm 1315:1310&1550nm X: その他 |
G657A1 G657A2 OM1 62.5/125 OM2 50/125 その他 |
25:250mm 90:900mm その他 |
05:0.5m±5cm 10:1.0m±5cm 15:1.5m±5cm その他 |
OO:None FP:FC/UPC FA:FC/APC SP:SC/UPC SA:SC/APC LP:LC/UPC LA:LC/APC その他 |
TTL TTL/RS232 TTL/ I2C |
注:
- 上記仕様は製品の典型値を示したものです。
- 上記以外のご要望の仕様については、お気兼ねなく弊社営業にお問い合わせいただければと存じます。
