■製品名 : MEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ回路基板

OE photonicsの1xN MEMS光スイッチ回路基板は、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）技術に基づき、1つの入力光とN個の出力光のポート選択を可能にするMEMS 1xN (2≤N≤64)スイッチ素子を小型の回路基板に実装し、組み込み用に供します。種々のインターフェースで制御可能で、OADM、OXC、OPMなどの光ネットワークシステムで広く使用可能です。

■特徴

・コンパクトなサイズ
・高い再現性および安定性
・TTL・TTL/RS232・TTL/I²Cによる制御
・GR-1209およびGR-1221準拠

■用途

・光アド/ドロップマルチプレクサ（OADM）
・光クロスコネクト（OXC）システム
・光パワーモニタリング（OPM）
・光ファイバセンシング

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■仕様

パラメータ

単位

シングルモード

マルチモード

ポート数 N

動作波長

1310 ± 30
or 1550 ± 30 or 1625 ± 30

850 ± 30

or 1310 ± 30

挿入損失 (Max)

0.6

0.7

0.8

1.0

1.2

1.4

1.5

1.6

0.6

0.7

0.8

1.0

反射減衰量

≥ 50

≥ 30

再現性（repeatability）

≤ 0.03

≤ 0.05

≤ 0.03

クロストーク

≥ 50

≥ 45

≥ 30

偏光依存損失（PDL）

≤ 0.15

波長依存損失

≤ 0.3 @ 中心波長 ± 30 nm, 23 ℃

温度依存損失

≤ 0.3

動作温度

℃

-5 ~ 70

保管温度

℃

-40 ~ 85

スイッチング時間

≤ 5

耐久性（durability）

Cycle

≥ 1×10⁹

動作電圧

5 ~ 12 V

最大使用光パワー

≤ 500

制御インターフェース

TTL or TTL/RS232 or TTL/I²C

注記:

損失は中心波長 ± 20nm, 23 ℃における評価結果です。多波長の場合はこれに0.2dB加算されます
再現性は100サイクル動作後の評価結果です。
損失はコネクタ損を除きます。コネクタを含む場合はこれに0.2dB加算されます

■パッケージ

■スイッチ回路基板図面

ファイバジャケット	250 mmf ファイバ素線	900 mmf ルースチューブ
1×2 スイッチ
1×4/1×8 スイッチ
1xN (8<N≦64) スイッチ